第三代半导体

  据云塔科技官微消息，1月15日，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划“战略性科学技术创新合作”重点专项“基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝异质集成射频微系统芯片研究”项目启动会暨实施方案论证会在云塔科技（安努奇）举行。据悉，该项目是由中国科学技术大学牵头，香港科技大学作为香港方合作单位和安徽安努奇科技有限公司作为参研单位，共同开展联合攻关。面向国家在高频、大带宽和高功率密度战略性高端通信芯片和射频模组的迫切需求，开展基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝（GaN/AlScN）异质集成射频微系统

  1 转型成功的2023得益于成功的战略转型，在汽车和工业市场增长的 推动下，安森美在 2023 年前 3 季度的业绩都超预期。 其中，第一季度由先进驾驶辅助系统 (ADAS) 和能源基 础设施终端市场带来的收入均同比增长约 50%，在第 二季度汽车业务收入超 10 亿美元，同比增长 35%，创 历史上最新的记录，第三季度汽车和工业终端市场都实现创纪录 收入。安森美大中华区销售副总裁Roy Chia2 深入布局碳化硅领域在第三代半导体领域，安森美专注于 SiC，重点聚 焦于汽车、能源、电网基础设施等应

  中国北京2023年12月20日 – “2023 行家极光奖”颁奖典礼于 12 月 14 日在深圳隆重举行，数百家 SiC&GaN 企业代表出席了本次活动，共同见证了第三代半导体产业的风采。业内领先的测试与测量解决方案提供商泰克科技，5系列B MSO混合信号示波器荣获年度优秀产品奖。

  据韩媒ETnews消息，近日，韩国晶圆代工大厂东部高科（DB HiTek）聘请了一位来自安森美的功率半导体专家。业内人士透露，东部高科聘请了安森美半导体前技术开发高级总监Ali Salih，并让他负责氮化镓（GaN）工艺开发。Salih是一位功率半导体工艺研发人员，拥有约20年的行业经验，曾在电气与电子工程师学会 (IEEE) 上发表过有关功率半导体的重要论文。东部高科聘请Salih是为了加快GaN业务的技术开发和商业化。这项任命旨在加强第三代功率半导体业务的技术开发和商业化。功率半导体业务目前占东部高科

  正齐半导体杭州项目将在开发区投资建设第三代半导体模块工厂，项目首期投资3000万美元，总投资额将达10亿元人民币。10月23日消息，近日，正齐半导体年产6万颗高阶功率模块研发生产项目正式落地萧山经济技术开发区。正齐半导体杭州项目将在开发区投资建设第三代半导体模块工厂。项目首期投资3000万美元，总投资额将达10亿元人民币，规划建设10条智能化模块封装生产与组装线，满足车规级与航天级的模块生产线万颗高端航天及车规级IGBT与碳化硅芯片、模块及器件等产品。该工厂将采用与合作厂商共同研制的驱动

  香港科技园公司与微电子企业杰平方半导体签署合作备忘录，设立以第三代半导体为主的全球研发中心。大半导体产业网消息，10月13日，香港科技园公司（科技园公司）与微电子企业杰平方半导体（上海）有限公司（杰平方半导体）签署合作备忘录，在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首间碳化硅（SiC）8寸先进垂直整合晶圆厂，共同推进香港微电子生态圈及第三代半导体芯片产业的发展。据悉，该项目总投资额约69亿港元，计划到2028年年产24万片碳化硅晶圆，带动年产值超过110亿港元，并创造超过700个本地和

  基于ST CCM PFC L4986A 设计的1KW 双BOOST PFC电源方案

  L4986简介：L4986是一款峰值电流模式PFC升压控制器，采用专有的乘法器“模拟器”，除了创新型THD优化器，还保证在所有工条件下有很低的总谐波失真（THD）性能。该器件引脚采用SO封装，集成了800V 高压启动功能，无需使用传统的放电电阻。能支持的功率范围从一两百瓦到几千瓦。 ST 提供两个版本：A为65 kHz，B为130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 电路简介：Double-boost 是无桥PFC的一种, 去掉了大功耗的整流桥，可以显著提

  基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小体积之PD快充方案

  过往产品的充电装置多由各家厂牌使用各自的接口，导致装置汰换时将造成许多浪费。由于USB的普及，市面大部分的产品都透过此接口传输数据，进而促使人们欲提升USB供电能力的想法。过去即使透过USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，则电子科技类产品要比较长的时间来充电。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年发表第一版USB Power Delivery规范 (USB Power Delivery Specifi

  STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源，使用完整的ST数字电源解决方案。STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源，使用完整的ST数字电源解决方案。电路设计包括前端无桥图腾柱PFC和后端LLC全桥架构。前级图腾柱PFC提供功率因数校正（PFC）和谐波失真（THD）抑制，后记全桥LLC转换器提供安全隔离和稳定的输出电压。该参考设计为高效率紧凑型解决方案，在230 VAC输入时，测量峰值效率为96.3%

  “现在的新车，只要能用碳化硅的地方，便不会再用传统功率器件”。功率半导体大厂意法半导体（ST）曾以此言表达碳化硅于新能源汽车市场的重要性。当下，在全球半导体行业的逆流中，第三代半导体正闪烁着独特的光芒，作为其代表物的碳化硅和氮化镓顺势成为耀眼的存在。在此赛道上，各方纷纷加大马力，坚定下注，一部关于第三代半导体的争夺剧集慢慢的开始上演。一、三代半方兴未艾产业进入高速成长期近日，科学技术部党组成员、副部长相里斌在2023中关村论坛上表示，2022年在全世界疫情和需求端疲软等多重因素影响下，全球半导体产业进入下行周

  近日，欧陆通与意法半导体（ST）宣布，双方将在欧陆通子公司上海安世博及杭州云电科技两地分别设立针对数字电源应用的联合开发实验室，双方合作的开发团队将在服务器电源及新能源两大产业应用领域进行合作。据介绍，在服务器电源领域，欧陆通将结合意法半导体广泛的芯片组合，包含主芯片控制器，功率器件（包含碳化硅，氮化镓等宽禁带材料），模拟器件（如隔离式栅极驱动器），传感器等等，联合打造高效率、高功率密度的服务器数字电源解决方案。在新能源领域，欧陆通将结合意法半导体主控芯片以及碳化硅、氮化镓等创新的宽禁带技术，打造液冷散热

  以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具备高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，可以极大满足新能源汽车电动化、网联化、智能化发展的新趋势的要求，对新能源汽车发展具备极其重大意义。《中国电子报》开设“宽禁带半导体与新能源汽车”专栏，以宽禁带半导体在新能源汽车范畴的应用为切入点，全面系统报道宽禁带半导体技术趋势、市场发展现状和产业高质量发展困难等。敬请关注。我们国家新能源汽车产销量、保有量持续6年居世界首位，为宽禁带半导体的技术验证和更新迭代提供了大量应用数据样本。记者在采访时领会到，宽禁带半导体能有效提升新能源汽

  IT之家3 月 20 日消息，闻泰科技今日在投资者互动平台表示，公司已布局第三代化合物半导体，主要聚焦于由减少碳排放和绿色能源所带来技术机遇，更看重功率器件，以增强和扩展半导体产品组合，提供更多复杂的高功率产品，包括 SiC 与 GaN。公司暂无氧化镓相关这类的产品，会持续关注半导体新技术。封测技术方面，闻泰科技称公司半导体业务具有LFPAK、夹片粘合、SiP（系统级封装）等多种先进封测技术与几十种封测型号，可满足汽车客户、工业、消费客户的不一样的产品性能的需求。此外，闻泰科技表示，公司半

  以碳化硅与氮化镓为代表的第三代半导体市场正如火如荼地发展着，而“围墙”之外的企业亦对此赛道十分看重。近日，中瓷电子资产重组重新恢复审核，其对第三代半导体业务的开拓有了新的进展。3月6日，中瓷电子发布了《发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易报告书（草案）（修订稿）》。根据该修订稿，中瓷电子拟以发行股份的方式，购买博威公司73.00%股权、氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债、国联万众94.6029%股权。事实上，除中瓷电子外，近来还有许多企业选择以收购的方式，布局或扩大第三代半导体业务。2023年3月2